产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16301Q2
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4672
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16323Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4707
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16401Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4741
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16406Q3, 79 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16406Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
914-2939
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16327Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4729
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16340Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4732
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16412Q5A, 52 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16412Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4785
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16415Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4808
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16321Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4684
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16342Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16342Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4739
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16413Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16413Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4798
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5C, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16322Q5C
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4694
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16322Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4697
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16407Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16407Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4763
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16414Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16414Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4795
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Texas Instruments 双 N沟道 Si MOSFET 模块 CSD86350Q5D, 120 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD86350Q5D
品牌:
Texas Instruments
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16570Q5BT, 456 A, Vds=25 V, 8引脚 VSON-CLIP封装
产品分类:半导体,品牌:Texas Instruments,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
CSD16570Q5BT
品牌:
Texas Instruments
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914-2932
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