产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(20)
分立半导体
(20)
筛选品牌
Nexperia (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PHKD6N02LT,518
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-510
搜索
NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV65XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8142
搜索
Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8329
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV48XP, 3.5 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV48XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2801
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMN50XP,165, 4.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMN50XP,165
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8423
查看其他仓库
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMN27UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2763
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMV56XN,215, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV56XN,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8332
搜索
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMGD290XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8394
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMZB670UPE, 680 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMZB670UPE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2817
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV160UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6928
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV65XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
134-295
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH105,215, 1.05 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BSH105,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-273
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX2301P, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
NX2301P
品牌:
Nexperia
库存编号:
780-5376
搜索
Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET PMDPB80XP, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 DFN-2020封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMDPB80XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2744
搜索
NXP 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMDT290UNE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2748
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2757
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV32UP, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV32UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2798
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMZB290UNE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2814
搜索
Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET PMDT290UCE, 550 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
产品分类:半导体,品牌:Nexperia,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMDT290UCE
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6814
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号