产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP BF510,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 0.7 → 3.0mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BF510,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2282
搜索
NXP BF513,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 10 → 18mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BF513,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2311
搜索
NXP BF512,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 6 → 12mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BF512,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2298
查看其他仓库
NXP BF511,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=20 V, Idss: 2.5 → 7.0mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BF511,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2305
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
ZXM62P02E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-248
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
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NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PHKD6N02LT,518
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-510
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
NTR4101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5071
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NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
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NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
PMV65XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8142
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BSS816NW H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7113
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7204PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9632
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7101PBF, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7101PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0238
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7301PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0698
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7307PBF, 4.7 A,5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7307PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0705
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7331PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2058
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7422D2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2452
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NXP N沟道 Si MOSFET BF992,215, 40 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
BF992,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2484
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
IRF7425PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3943
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A14FTA, 4.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
ZXMN2A14FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7685
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
FDN308P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0419
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
FDS6375
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0564
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
FDS6890A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0633
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 20 V,
制造商零件编号:
FDS6892A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0637
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