产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
BSH114,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-539
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
STH310N10F7-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2006
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NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8117
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IPP023N10N5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7116
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
ZVP2110A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
157-4580
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Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
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Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRF140
品牌:
Magnatec
库存编号:
263-6910
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NXP N沟道 Si MOSFET BUK9575-100A,127, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
BUK9575-100A,127
品牌:
NXP
库存编号:
484-2915
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
STB35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7232
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
STB40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7248
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
STP40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7642
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN2NF10, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
STN2NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2149
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFR110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9581
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFP9140PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9727
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFL4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9884
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFL110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0418
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL520NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRL520NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1196
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRL540NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1219
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFP140NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1269
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFU9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1275
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1506
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFU120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1613
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 100 V,
制造商零件编号:
IRFU9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
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