产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(34)
分立半导体
(34)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (3)
Infineon (9)
STMicroelectronics (2)
Toshiba (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK32E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5104
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK42A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5148
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP114N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP114N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2179
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPI147N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2289
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32A12N1,S4X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK32A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2344
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK42E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2385
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP041N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7311
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC077N12NS3 G, 98 A, Vds=120 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
BSC077N12NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5285
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPB038N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5437
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPD110N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5462
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF12, 80 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
STP80NF12
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0184
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK56A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5163
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF15P12, 10.6 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
FQPF15P12
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5894
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP14NF12, 14 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
STP14NF12
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
809-1357
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6277
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK42A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2381
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK56A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2391
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB036N12N3 G, 180 A, Vds=120 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPB036N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5428
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5208
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6268
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK32E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2347
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3 G, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP048N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7440
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86201, 49 A, Vds=120 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
FDMS86201
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5478
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56E12N1, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK56E12N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5096
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK32A12N1,S4X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
TK32A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5100
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号