产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
BF998
品牌:
NXP
库存编号:
509-289
搜索
Nexperia N沟道 Si MOSFET BF908WR,115, 40 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
BF908WR,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
626-2428
查看其他仓库
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI9934BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3399
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SIA447DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9288
搜索
ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8652-TL-H, 6 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
ECH8652-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0838
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH3374-TL-E, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
MCH3374-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0917
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 SCH1335-TL-H, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SCH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SCH1335-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1103
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI7405BDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1400
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ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
RZF030P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7829
搜索
ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
RZR025P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7835
查看其他仓库
ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
RZR040P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7838
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA908PZ, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
FDMA908PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8183
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
CSD13306WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9927
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI3865DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4270
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4713
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP1022UFDF-7, 11 A, Vds=12 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
DMP1022UFDF-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1136
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
IRF7910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
405-521
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
FDN306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0416
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI1417EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3229
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI2333DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4691
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
FDD306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9065
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
STL100N1VH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9635
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
MCH6336-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0828
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI1442DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9134
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 12 V,
制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9222
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