以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-574
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD220N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7435
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48VSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2250
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6989
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7077
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7115
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010EZ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7655
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFH5106TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7787
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML2060TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9357
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3636
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1908
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  SPB80P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3166
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  SPB18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3169
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPP037N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5487
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8870
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7534TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8873
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD034N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9168
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S405ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8995
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4L-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9061
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9175
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSP315PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9238
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSR315PL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9395
  
• 
  查看其他仓库