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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  ZVN2106GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  274-992
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-221
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  NTF3055L108T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-307
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-574
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  NTF3055L108T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  100-8062
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170LT1G, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  MMBF170LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-2947
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  NTTFS5820NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5087
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8114
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD220N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7435
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4306GTA, 2.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  ZVN4306GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  169-4151
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170FTA, 150 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  BS170FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  215-6587
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  STP45NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7658
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  STB55NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-1922
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2278
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9604
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFD9024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0547
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFD9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0733
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ14PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1685
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRLD014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0478
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48VSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2250
  
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• Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3845(Q), 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3845(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  601-2188
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  SUD23N06-31L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  611-1342
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08E6TA, 3.5 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 60 V,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A08E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7338
  
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