产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRFR9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9604
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
NTGS3446T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4221
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
AUIRF7341Q
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4274
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3070SSN-7, 5.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
DMN3070SSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4606
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Toshiba TPC 系列 双 Si N沟道 MOSFET TPC8227-H,LQ(S, 5.1 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
TPC8227-H,LQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5128
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NXP Si N沟道 MOSFET PMN35EN, 5.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
PMN35EN
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2766
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZTRPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRFL024ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3990
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFIB5N65APBF, 5.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRFIB5N65APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1134
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333CDS-T1-GE3, 5.1 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
SI2333CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3260
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014TRPBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRFR9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0632
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIB406EDK-T1-GE3, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-75封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
SIB406EDK-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1247
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IPD90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9180
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7815TRPBF, 5.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRF7815TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3887
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRFL024ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4306
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7815PBF, 5.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IRF7815PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9230
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IPA90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5605
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 5.1 A,
制造商零件编号:
IPP90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7047
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