以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA44N30, 43 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  FQA44N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8988
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3944
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7807ZTRPBF, 43 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR7807ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5106
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LK3-13, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  DMN3010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1076
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7807ZPBF, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR7807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4564
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB44N10TM, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  FQB44N10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0895
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  FQP44N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5111
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFB3806
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1807
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  TK30E06N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5083
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4117
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415PBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRF3415PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9232
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6926
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7143
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN020-100YS, 43 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  PSMN020-100YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2867
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4410ZPBF, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI4410ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3972
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3806TRPBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR3806TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4054
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  TK30A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2951
  
• 
  查看其他仓库

• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17573Q5BT, 43 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  CSD17573Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3821
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8334TRPBF, 43 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFHM8334TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5005
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415SPBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRF3415SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9248
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IRFS3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7083
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3415, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3415
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1784
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3806
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1850
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  TK30A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5087
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 43 A,
• 制造商零件编号：
  IPD180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9402
  
• 
  搜索