产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFB812PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1939
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL7N80K5, 3.6 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
STL7N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5915
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC654P, 3.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
FDC654P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0862
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
SIHFBC30AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2698
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4051
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9220PBF, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFR9220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9698
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2035U-7, 3.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
DMP2035U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4225
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7380PBF, 3.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRF7380PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0293
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI2304DDS-T1-GE3, 3.6 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
SI2304DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3117
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
SIHFBC30S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2691
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7306TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRF7306TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8853
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7380TRPBF, 3.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRF7380TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8904
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9301TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRLML9301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4060
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7306PBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRF7306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9355
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFBC30APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4768
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD2670, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
FDD2670
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9061
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFR812PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8957
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9220TRPBF, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFR9220TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0654
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
SIHFBC30STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2695
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFPF30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2752
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7606TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRF7606TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-284
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFBC30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9507
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
IRFBF30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9557
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11ZTA, 3.6 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 3.6 A,
制造商零件编号:
ZXMN6A11ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2450
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