产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8252PBF, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IRF8252PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6885
搜索
Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D1020UK, 25 A, Vds=70 V, 5引脚 扭杆封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
D1020UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7688
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IPD600N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5478
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
SIHP25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9175
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IPB600N25N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9204
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3105PBF, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IRLR3105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3366
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IPW60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7333
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3 G, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
BSC600N25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4303
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD25P03LT4G, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
NTD25P03LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5122
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
STB33N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6461
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5061
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IRFB4620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6960
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD25P03LT4G, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
NTD25P03LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7888
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
SIHG25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9169
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
SIRA12DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9386
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP101-TL-H, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
ATP101-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0740
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
STW33N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6481
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP27N25, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
FQP27N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5060
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
IRFB5620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6973
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Fairchild Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 FDMS3626S, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
FDMS3626S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1165
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3105, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
AUIRLR3105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9225
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N10F7, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
STF25N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5741
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR436DP-T1-GE3, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 25 A,
制造商零件编号:
SIR436DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1288
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