产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006DGTA, 2.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
ZXMS6006DGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5210
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86244, 2.8 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
FDT86244
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9718
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
SI3865DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4270
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2302CX RFG, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
TSM2302CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-423
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5441T1G, 2.8 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
NTHS5441T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1905
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STMicroelectronics SuperMESH 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 STD3PK50Z, 2.8 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
STD3PK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0030
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF3N50TH, 2.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
MDF3N50TH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-6661
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006DGTA, 2.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
ZXMS6006DGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8216
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
FQT13N06LTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1059
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International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFL024N, 2.8 A, Vds=55 V, 3引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
AUIRFL024N
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9142
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NTRPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
IRLL014NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3307
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4738
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-000
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
FQT13N06TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1052
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI1471DH-T1-GE3, 2.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
SI1471DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3226
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
ZXMS6006SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5229
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014L, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
NDT014L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1255
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD5N60CTM, 2.8 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
FQD5N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9014
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 2.8 A,
制造商零件编号:
ZXMS6006SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8210
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