产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFB4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4744
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFS4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4889
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFP4668PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7027
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL130N6F7, 130 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
STL130N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-4674
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004PBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRL1004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2105
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRLR3114ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7210
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International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFSL4310, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
AUIRFSL4310
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7483
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4310, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
AUIRFS4310
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7486
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3114Z, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
AUIRLR3114Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1904
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A, 130 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
FDB075N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7966
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
FDMS86350
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8483
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB065N15N3 G, 130 A, Vds=150 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IPB065N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4283
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFB4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3979
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZTRPBF, 130 A, Vds=40 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRLR3114ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5109
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS3307PBF, 130 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFS3307PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8945
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310TRLPBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRFS4310TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5042
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004PBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
IRL1004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4943
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STY139N65M5, 130 A, Vds=710 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 130 A,
制造商零件编号:
STY139N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8815
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