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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4306GTA, 2.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  ZVN4306GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  169-4151
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD2NK90ZT4, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  STD2NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5100
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVGSF1N03LT1G, 2.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  MVGSF1N03LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1954
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2104V-7, 2.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2104V-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2532
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS8935, 2.1 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDS8935
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9702
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  CSD13381F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9231
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP2NK90Z, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  STP2NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0099
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI820GPBF, 2.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI820GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4771
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF1N03LT1G, 2.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  MGSF1N03LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-0130
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC3535, 2.1 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 2.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDC3535
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0828
  
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