以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BSS123NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0011
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BSS119NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0119
  
• 
  搜索

• Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  VN2410L-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  861-0670
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS192P, 190 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BSS192P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2848
  
• 
  搜索

• Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BST82
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  112-5548
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP300, 190 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BSP300
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8211
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6433XTMA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 190 mA,
• 制造商零件编号：
  BSS123NH6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9317
  
• 
  搜索