产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF16N15, 11.6 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
FQPF16N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5222
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4916NR2G, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
NTMS4916NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1068
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
SPI12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8762
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
SPP12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8801
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
SPA12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3140
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI5418DU-T1-GE3, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
SI5418DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1318
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 11.6 A,
制造商零件编号:
SPI12N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8766
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