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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 900 mA,
• 制造商零件编号：
  IRF5802TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-647
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 900 mA,
• 制造商零件编号：
  NDS352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1084
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4310A, 900 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 900 mA,
• 制造商零件编号：
  ZVN4310A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7780
  
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• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLUD3A260PZTAG, 900 mA, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 900 mA,
• 制造商零件编号：
  NTLUD3A260PZTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-1885
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4310A, 900 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 900 mA,
• 制造商零件编号：
  ZVN4310A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  841-306
  
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