产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
STB35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7232
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
NTD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2894
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4852NT1G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
NTMFS4852NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2939
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ035N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5358
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ105N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5361
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ160N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5373
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6675BZ, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
FDMC6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9529
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP206-TL-H, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
ATP206-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9500
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM40N10-30-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SQM40N10-30-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3958
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTAG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
NVTFS5811NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4194
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTWG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
NVTFS5811NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4197
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ0902NS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9159
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ0902NSI
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9207
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ036NE2LS
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9376
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
STB40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-0037
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF80N10F7, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
STF80N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7110
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
IPD40N03S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4596
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ065N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
BSZ065N03LS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4331
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
IXFN48N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-473
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW48N60DM2, 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
STW48N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6484
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
STP35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7614
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