产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1231
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3919
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFSL4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5835
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFR5505TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4783
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NSTRLPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRLZ24NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5118
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF640NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4817
搜索
Infineon DirectFET 2 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7675M2TR1, 18 A, Vds=150 V, 7引脚 DirectFET SB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
AUIRF7675M2TR1
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7515
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD640N06L G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IPD640N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8375
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7842TRPBF, 18 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF7842TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3899
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NSPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRLZ24NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3812
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4895
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736PBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF8736PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-619
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505PBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFR5505PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0474
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9298
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFR18N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0923
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7842PBF, 18 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF7842PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6879
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFR5505TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4072
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSTRLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF640NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF640NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2859
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R125C7, 18 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IPP65R125C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7589
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5006
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLZ24NSPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRLZ24NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0608
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFB4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6939
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4212PBF, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
IRFB4212PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6945
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ440N10NS3 G, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 18 A,
制造商零件编号:
BSZ440N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5386
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