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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTMS4177PR2G, 11.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 11.4 A,
• 制造商零件编号：
  NTMS4177PR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4723
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD770N15A, 11.4 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 11.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDD770N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0938
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R310CFD, 11.4 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 11.4 A,
• 制造商零件编号：
  IPW65R310CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7646
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP11P06, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 11.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQP11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8766
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQB11P06TM, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大连续漏极电流 11.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQB11P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8750
  
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