产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IRF740PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0020
搜索
Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL520NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IRL520NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1196
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690AS, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FDS6690AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0627
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FQD13N06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0958
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N10LTU, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FQU13N10LTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5348
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740ALPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IRF740ALPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4743
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Semelab 双 Si N沟道 MOSFET D1008UK, 10 A, Vds=70 V, 5引脚 DK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
D1008UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7663
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Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D1201UK, 10 A, Vds=40 V, 3引脚 DP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
D1201UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7723
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR120N, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
AUIRLR120N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1891
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4466SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
DMG4466SSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4105
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FDP10N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9166
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP11N52K3, 10 A, Vds=525 V, 4引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
STP11N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9657
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STW13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
STW13N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9777
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP10N40D-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
SIHP10N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9171
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ON Semiconductor ECH8651R-TL-HX, 双 N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=24 V, 8针 ECH封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
ECH8651R-TL-HX
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9431
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Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
TPC8125
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5115
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5419
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IXFR15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1430
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FDMA8878
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3481
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4496SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
DMG4496SSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3214
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6107
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8051L, 10 A, Vds=40 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
FDMA8051L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8170
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740LCPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 10 A,
制造商零件编号:
IRF740LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4485
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