产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA62N25C, 62 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
FQA62N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4957
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR48Z, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
AUIRFR48Z
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4303
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6255
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2417
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IXTH62N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1417
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB62N80Q3, 62 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IXFB62N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0962
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IXTP62N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-316
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRFS4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4384
搜索
IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN62N50L, 62 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IXTN62N50L
品牌:
IXYS
库存编号:
686-7862
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRLB8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9322
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4510PBF, 62 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRFB4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8922
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5172
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRFSL4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4120
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRFS4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3948
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU48ZPBF, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRFU48ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7162
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5179
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB62N80Q3, 62 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IXFB62N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1376
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDP2614, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
FDP2614
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3557
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6246
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
TK62J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2408
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRLB8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4036
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRF3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0872
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB13AN06A0, 62 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
FDB13AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8945
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
IRF3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3819
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3008SFG-7, 62 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 62 A,
制造商零件编号:
DMN3008SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1072
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