产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
NTLJS3113PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0661
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRFR120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4812
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRLR014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0718
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
SIHLR120TR-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0720
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRLR014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1689
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS2103PTBG, 7.7 A, Vds=12 V, 6引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
NTLJS2103PTBG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0652
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRFR014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2761
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO220N03MDG, 7.7 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
BSO220N03MDG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8942
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRFU014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1590
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9530GPBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRFI9530GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9721
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRFR014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1667
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
IRLU014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1702
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A09KTC, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 7.7 A,
制造商零件编号:
ZXMN10A09KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
824-5472
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