产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
SPB08P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2201
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
SPD08P06P
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3247
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP440PBF, 8.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
IRFP440PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9989
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25C, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
FQPF9N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5329
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ_F085, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
FDS4435BZ_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8635
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
SI4435DY
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4412
搜索
Vishay P沟道 MOSFET IRFR9024PBF, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
IRFR9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9610
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
FDS4435BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0508
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFU9024PBF, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
IRFU9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4853
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
IRFHS8342TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7335
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP08P06P H, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
SPP08P06P H
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8279
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25CYDTU, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 8.8 A,
制造商零件编号:
FQPF9N25CYDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8785
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