产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(7)
分立半导体
(7)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6948
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
FDMS86322
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9642
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IPI111N15N3GAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4650
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB108N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IPB108N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6996
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4321PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IRFS4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-877
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R037C6, 83 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IPW65R037C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7474
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP111N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大连续漏极电流 83 A,
制造商零件编号:
IPP111N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7412
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号