产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fuji Electric 2MBI400U2B-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 400 A, Vce=650 V, 7引脚 M233封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
2MBI400U2B-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
462-877
搜索
Infineon FS100R07N2E4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS100R07N2E4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6832
查看其他仓库
Infineon FD300R07PE4_B6 N通道 IGBT 模块, 共发射极, 300 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FD300R07PE4_B6
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6841
搜索
Infineon F3L200R07PE4 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
F3L200R07PE4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6848
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Infineon IHW40N65R5 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IHW40N65R5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7143
搜索
Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IGW50N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7157
查看其他仓库
Infineon IKW75N65EL5 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKW75N65EL5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7176
查看其他仓库
Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKP15N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7724
搜索
Infineon IKW40N65H5 N沟道 IGBT, 74 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKW40N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7779
搜索
Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FGH75T65UPD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1067
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Infineon IRGP4266PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4266PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1111
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STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
STGW40H65FB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5805
搜索
STMicroelectronics STGWT40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
STGWT40H65FB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4509
搜索
STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
STGWT60H65DFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4666
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Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IKP08N65H5XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8582
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Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FGA30N65SMD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8770
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Infineon IRGP4750DPBF N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4750DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3432
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ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
NGTG35N65FL2WG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
900-8817
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STMicroelectronics STGP30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
STGP30M65DF2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2805
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Infineon FS150R07PE4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS150R07PE4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6810
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Infineon FS200R07A1E3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 250 A, Vce=650 V, 25引脚 HYBRID1封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS200R07A1E3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6857
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Infineon FS100R07N3E4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 35引脚 ECONO3封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FS100R07N3E4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6927
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Infineon FP50R07N2E4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 70 A, Vce=650 V, 31引脚 ECONO2封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
FP50R07N2E4
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7021
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Infineon IGW50N65F5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IGW50N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7426
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Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 650 V,
制造商零件编号:
IRGP4263-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9035
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