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• Toshiba GT50J301(Q) N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PLH封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT50J301(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  184-537
  
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• Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT20J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5055
  
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• Toshiba GT30J121 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT30J121
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5058
  
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• Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT40J322(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0546
  
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• Toshiba GT15J341 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT15J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5046
  
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• Toshiba GT50JR22 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT50JR22
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5064
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4867
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2734
  
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• Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT50J342,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2740
  
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• Toshiba GT50JR21 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT50JR21
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5061
  
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• Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Toshiba,规格：最大集电极-发射极电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  GT50J342,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4873
  
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