产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP BFR93A , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:40, 6000 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFR93A
品牌:
NXP
库存编号:
100-3505
搜索
DiodesZetex ZXTC2061E6TA, 双 NPN,PNP 晶体管, 5 A, Vce=12 V, HFE:260, 260 (NPN) MHz、310 (PNP) MHz, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZXTC2061E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
711-5238
搜索
DiodesZetex FZT688BTA , NPN 晶体管, 4 A, Vce=12 V, HFE:100, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
FZT688BTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-3337
查看其他仓库
ON Semiconductor BSV52LT1G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BSV52LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-3985
搜索
ON Semiconductor NSS12100XV6T1G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=12 V, HFE:90, 1 MHz, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
NSS12100XV6T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6283
搜索
Infineon BFR193 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFR193
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5538
搜索
ROHM 2SB1689T106 , PNP 双极晶体管, 1.5 A, Vce=12 V, HFE:270, 100 MHz, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
2SB1689T106
品牌:
ROHM
库存编号:
826-8352
搜索
ROHM 2SB1690TL , PNP 双极晶体管, 2 A, Vce=12 V, HFE:270, 100 MHz, 3引脚 TSMT封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
2SB1690TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-8364
搜索
ROHM 2SB1709TL , PNP 双极晶体管, 1.5 A, Vce=12 V, HFE:270, 100 MHz, 3引脚 SC-96封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
2SB1709TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-8386
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Infineon BFR193WH6327 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFR193WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9364
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Infineon BFP196E6327 , NPN 射频双极晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7.5 GHz, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFP196E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9478
搜索
Infineon BFP193WH6327 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-343封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFP193WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8441
搜索
Infineon BFR 181W H6327 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFR 181W H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2226
查看其他仓库
Infineon BFR 93A E6327 NPN 晶体管, 90 mA, Vce=12 V, HFE:70, 6 GHz, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFR 93A E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2365
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Nexperia BSV52 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BSV52
品牌:
Nexperia
库存编号:
436-8108
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Infineon BFP196W , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7500 MHz, 4引脚 SOT-343封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFP196W
品牌:
Infineon
库存编号:
167-958
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Infineon BFP 183W , NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8000 MHz, 4引脚 SOT-343封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFP 183W
品牌:
Infineon
库存编号:
167-964
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NXP BFT93 , PNP 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:20, 5000 MHz, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFT93
品牌:
NXP
库存编号:
626-2850
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DiodesZetex ZUMT717TA , PNP 晶体管, 1.25 A, Vce=12 V, HFE:30, 220 MHz, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZUMT717TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7382
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DiodesZetex ZTX688BSTZ , NPN 晶体管, 3 A, Vce=12 V, HFE:100, 150 MHz, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZTX688BSTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7537
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NXP BFG93A,215 , NPN 射频双极晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:40, 6000 MHz, 4引脚 SOT-143B封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
BFG93A,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2658
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DiodesZetex FZT1147ATA , PNP 晶体管, 5 A, Vce=12 V, HFE:90, 115 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
FZT1147ATA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7379
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DiodesZetex ZXTP07012EFFTA , PNP 晶体管, 4 A, Vce=12 V, HFE:150, 250 MHz, 3引脚 SOT-23F封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZXTP07012EFFTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
711-5137
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DiodesZetex ZXTP25012EFHTA , PNP 晶体管, 4 A, Vce=12 V, HFE:50, 310 MHz, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZXTP25012EFHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
711-5168
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DiodesZetex ZXTN25012EFHTA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=12 V, HFE:40, 260 MHz, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大集电极-发射极电压 12 V,
制造商零件编号:
ZXTN25012EFHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
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