产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics BUT30V , NPN 晶体管, 100 A, Vce=125 V, HFE:27, 4引脚 ISOTOP封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BUT30V
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
264-355
搜索
ON Semiconductor BSP52T3G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BSP52T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9702
搜索
DiodesZetex FZT600TA NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=140 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
FZT600TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
154-986
搜索
Nexperia BSP50 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BSP50
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5251
搜索
DiodesZetex FZT600TA NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=140 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
FZT600TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7627
搜索
DiodesZetex ZTX601 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=160 V, HFE=1000, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
ZTX601
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7885
搜索
NXP BST50 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 4引脚 UPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BST50
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-2690
搜索
Fairchild Semiconductor BSP52 NPN 达林顿晶体管对, 800mA, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BSP52
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5197
搜索
NXP BST51 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=1000, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BST51
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7817
搜索
DiodesZetex ZTX601B NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=160 V, HFE=5000, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
ZTX601B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7923
搜索
ON Semiconductor BSP52T1G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BSP52T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-117
搜索
Nexperia BST52 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 4引脚 UPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BST52
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-2707
搜索
DiodesZetex ZTX601B NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=160 V, HFE=5000, 3引脚 E-Line封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
ZTX601B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7552
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NXP BSP51,115 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=60 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BSP51,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8467
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DiodesZetex BST52TA NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
BST52TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-4936
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DiodesZetex FZT600BTA NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=140 V, HFE=10000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大基极-发射极饱和电压 1.9 V,
制造商零件编号:
FZT600BTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1401
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