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• STMicroelectronics MD2310FX , NPN 晶体管, 14 A, Vce=700 V, HFE:6, 64 kHz, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  MD2310FX
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-3548
  
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• Infineon SGP02N120 N沟道 IGBT, 2 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  SGP02N120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5582
  
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• Fairchild Semiconductor FSBB20CH60C N通道 IGBT 模块, 20 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 CC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FSBB20CH60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-5080
  
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• Infineon SGD02N120 N沟道 IGBT, 6.2 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  SGD02N120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8441
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMC86259P, 3.2 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86259P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8228
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF70N10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5307
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86102, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FDD86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9471
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86326, 8 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FDD86326
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9481
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670, 105 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS7670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4797
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET PHP20N06T,127, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  PHP20N06T,127
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-112
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD5N50NZTM, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  FDD5N50NZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6184
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD25N06-22L_GE3, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 62 W,
• 制造商零件编号：
  SQD25N06-22L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9480
  
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