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• Vishay VS-GB75YF120UT N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO2封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  VS-GB75YF120UT
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  748-1112
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA69N25, 69 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  FDA69N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0792
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH74N20P, 74 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH74N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-436
  
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• 新产品

  IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH74N20P, 74 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH74N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0726
  
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• Vishay VS-GB75YF120N N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 49引脚 ECONO2封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  VS-GB75YF120N
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  873-2339
  
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• Fairchild Semiconductor FGH30N60LSDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  FGH30N60LSDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4939
  
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• IXYS IXYH40N120C3D1 N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  IXYH40N120C3D1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0284
  
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• Fairchild Semiconductor FGH30N60LSDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  FGH30N60LSDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4960
  
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• Infineon IKW40N120T2 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 480 W,
• 制造商零件编号：
  IKW40N120T2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4488
  
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