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• Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRGR4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4252
  
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• Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4268
  
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• Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRGR4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3476
  
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• Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3488
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P04P4-13, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPD50P04P4-13
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9109
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NG, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPD33CN10NG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5066
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD75N04S4-06, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPD75N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4622
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPI45P03P4L-11, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPI45P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4681
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPP70N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6952
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI3705NPBF, 52 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRLI3705NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3799
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9579
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPD50P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9159
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPB70N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4492
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPI70N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6738
  
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• Infineon IRGB4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3413
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLI3705NPBF, 52 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IRLI3705NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0490
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB45P03P4L-11, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 58 W,
• 制造商零件编号：
  IPB45P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8696
  
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