产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC7660
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6285
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC7660S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6288
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6314
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDB3502
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8977
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC8462
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9134
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDPF18N20FT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3591
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPG20N04S4-12
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9115
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4774
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC8651
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4954
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IRFI530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9620
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86324, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC86324
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6311
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6679AZ, 51 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC6679AZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9522
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102LZ, 22 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC86102LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3507
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7678, 17.5 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMS7678
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3510
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF15P12, 10.6 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FQPF15P12
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5894
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF33N10L, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FQPF33N10L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5908
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8854, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC8854
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4829
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA030N10N3 G, 79 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA030N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7431
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC510P, 54 A, Vds=20 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC510P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6279
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
SPA11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8476
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8554, 72 A, Vds=20 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
FDMC8554
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9557
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2008UFG-7, 11 A, Vds=20 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
DMP2008UFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2611
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3 G, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA032N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7181
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2006UFG-7, 17.5 A, Vds=20 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
DMP2006UFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1139
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA037N08N3 G, 75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 41 W,
制造商零件编号:
IPA037N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7183
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