产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
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Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FGH15T120SMD_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8833
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Fairchild Semiconductor FGH40T100SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FGH40T100SMD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9231
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB9403_F085, 110 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDB9403_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1060
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A,313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDP020N06B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3539
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDP036N10A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4866
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A, 130 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDB075N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7966
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035N10A, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDB035N10A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-3200
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A_F085, 110 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 333 W,
制造商零件编号:
FDB075N15A_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7969
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