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• Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FGH15T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8833
  
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• Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 0.6μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  GT60PR21,STA1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2756
  
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• Infineon IGP50N60T N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IGP50N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7154
  
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• Infineon IHW30N110R3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IHW30N110R3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7734
  
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• Infineon IKW50N60T IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IKW50N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5409
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T100SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40T100SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9231
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1756
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB9403_F085, 110 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDB9403_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1060
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A，313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDP020N06B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3539
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDP036N10A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4866
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A, 130 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDB075N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7966
  
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• Infineon IGW50N60H3 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IGW50N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8331
  
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• Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  GT60PR21,STA1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4889
  
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• Infineon IKW50N60H3 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IKW50N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7239
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035N10A, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDB035N10A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-3200
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A_F085, 110 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  FDB075N15A_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7969
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404PBF, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1404PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3837
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404PBF, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 333 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1404PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1083
  
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