产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
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操作
DiodesZetex ZXTP2013GTA , PNP 晶体管, 5 A, Vce=100 V, HFE:15, 125 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
ZXTP2013GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
711-5086
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
DMN4010LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3193
查看其他仓库
DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC3026LSD-13, 8.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
DMC3026LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1029
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
ZXMS6005SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5216
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3085LSS-13, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
DMP3085LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0500
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
ZXMS6006SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5229
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:DiodesZetex,规格:最大功率耗散 1.6 W,
制造商零件编号:
ZXMS6006SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8210
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