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• STMicroelectronics STN93003 , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:4, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  STN93003
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  249-814
  
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• STMicroelectronics STN851 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:30, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  STN851
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7406
  
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• STMicroelectronics STN9360 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=600 V, HFE:200, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  STN9360
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  917-2741
  
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• STMicroelectronics STN0214 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=1400 V, HFE:3, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  STN0214
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  110-6371
  
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• NXP PBSS5330X , PNP 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS5330X
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-1946
  
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• NXP PBSS5350X , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS5350X
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-1980
  
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• STMicroelectronics 2STN2540 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=40 V, HFE:50, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  2STN2540
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  686-7991
  
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• DiodesZetex ZXTP2013GTA , PNP 晶体管, 5 A, Vce=100 V, HFE:15, 125 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTP2013GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  711-5086
  
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• STMicroelectronics BCP56-16 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  BCP56-16
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  795-8959
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3512, 3 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC3512
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9011
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9024
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC655BN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4426
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6912A, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6912A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9225
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH6341-M-TL-E, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 CPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  CPH6341-M-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0812
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET CPH6347-TL-H, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 CPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  CPH6347-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0800
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDFS2P753Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3365
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6911, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6911
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3661
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC654P, 3.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC654P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0862
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC653N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0868
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  DMN4010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3193
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET LND150N8-G, 30 mA, Vds=500 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  LND150N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3253
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN3535N8-G, 230 mA, Vds=350 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  DN3535N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3354
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC8886, 6.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDC8886
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8029
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4141_F085, 10.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDS4141_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8631
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 1.6 W,
• 制造商零件编号：
  FDS8984_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8723
  
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