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• Infineon FS75R12W2T4_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 107 A, Vce=1200 V, 33引脚 EASY2B封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FS75R12W2T4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7046
  
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• Infineon IGW60T120 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IGW60T120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4472
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IPP023N10N5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7116
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7430PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9172
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4010
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9180
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8409-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1023
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8870
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B209, 414 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRL40B209
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7349
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPT007N06N, 300 A, Vds=60 V, 8引脚 HSOF封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IPT007N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4407
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530PBF, 295 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5126
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3006GPBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB3006GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5784
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7430TRL7PP, 522 A, Vds=40 V, 6引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7430TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4202
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60B216, 305 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRL60B216
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7358
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3006PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3006PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5157
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8409, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1014
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7530PBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7530PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8833
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRL7PP, 240 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8867
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4010PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4111
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7730-7PPBF, 269 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7730-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3353
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7430PBF, 426 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7430PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5097
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7530PBF, 295 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7530PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5129
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8409-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4761
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3004WL, 386 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262WL封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3004WL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4230
  
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