产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
SPA04N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3147
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPA65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8621
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPS135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5507
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03LGATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPD135N03LGATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4574
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10N G, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPD78CN10N G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7242
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPA65R380E6
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2906
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPD135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5471
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Infineon Si N沟道 MOSFET IPP147N03L G, 20 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPP147N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5490
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R385CP, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPA60R385CP
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2925
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPA90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5605
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S4L-14, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPD30N03S4L-14
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9474
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI22N03S4L-15, 22 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPI22N03S4L-15
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4675
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R380E6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPA60R380E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8602
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NG, 13 A, Vds=100 V, 3针+焊片 PG-TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 31 W,
制造商零件编号:
IPD78CN10NGBUMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0188
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