产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9313
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0966
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SiHP22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9430
搜索
Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5790
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Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SIHG22N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9326
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHP22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SIHP22N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9341
查看其他仓库
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 227 W,
制造商零件编号:
SiHG22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9412
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