产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IRGB30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRGB30B60KPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3278
查看其他仓库
Infineon AUIRGSL30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
AUIRGSL30B60K
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1695
搜索
Infineon IRGS30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRGS30B60KPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3281
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A,260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
AUIRFS3107-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9168
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
AUIRLS4030
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9256
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110GPBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRFB4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5807
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3077PBF, 210 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRFB3077PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4716
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFS3107, 195 A,230 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
AUIRFS3107
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9164
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3077PBF, 210 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRFB3077PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3960
搜索
Infineon AUIRGS30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
AUIRGS30B60K
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9366
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Infineon IRGP50B60PDPBF N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 370 W,
制造商零件编号:
IRGP50B60PDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0984
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