产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor MJL1302AG , PNP 晶体管, 15 A, Vce=260 V, HFE:45, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJL1302AG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5400
搜索
ON Semiconductor MJW21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJW21193G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5413
搜索
ON Semiconductor MJW21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJW21194G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5416
搜索
ON Semiconductor NJW21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
NJW21193G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5463
搜索
ON Semiconductor NJW21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
NJW21194G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5466
搜索
ON Semiconductor MJ15001G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=140 V, HFE:25, 2引脚 TO-204AA封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJ15001G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
862-4960
搜索
ON Semiconductor MJL21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3BPL封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJL21194G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5143
搜索
Semelab MG6330 , NPN 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:140, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MG6330
品牌:
Semelab
库存编号:
737-8864
搜索
ON Semiconductor NJW1302G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=250 V, HFE:45, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
NJW1302G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-2006
搜索
ON Semiconductor MJ802G , NPN 晶体管, 30 A, Vce=90 V, HFE:25, 2引脚 TO-204AA封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJ802G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
862-4972
搜索
ON Semiconductor 2N5885G , NPN 晶体管, 25 A, Vce=60 V, HFE:4, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
2N5885G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3234
搜索
ON Semiconductor MJL21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJL21193G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5404
搜索
ON Semiconductor MJW21195G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJW21195G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5410
搜索
ON Semiconductor MJL21195G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJL21195G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4546
搜索
ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
MJ11012G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
862-4954
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Fuji Electric 7MBR50VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
7MBR50VA-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9130
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Infineon IRG4PC50UD-EPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
IRG4PC50UD-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0946
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Infineon IRGP6640D-EPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
IRGP6640D-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5061
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Infineon BSM25GD120DN2 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 17引脚 EconoPACK 2封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
BSM25GD120DN2
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5333
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STMicroelectronics STGP20NC60V N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
STGP20NC60V
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9151
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STMicroelectronics STGP30NC60W N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
STGP30NC60W
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3526
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STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
STGW30NC60KD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2905
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STMicroelectronics STGW35HF60WD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
STGW35HF60WD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2908
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Infineon IRGP6640DPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
IRGP6640DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3454
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HY Electronic Corp HYG30P120H1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 40 A, Vce=1200 V, 24引脚
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 200 W,
制造商零件编号:
HYG30P120H1K1
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
916-3352
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