产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(6)
分立半导体
(6)
筛选品牌
Vishay (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3327
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4936BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4746
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI3457CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3298
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 Si3443CDV-T1-E3, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
Si3443CDV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3282
查看其他仓库
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4900DY-T1-GE3, 4.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4900DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3364
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号