产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor FGA60N60UFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
FGA60N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9254
搜索
ON Semiconductor NGTB60N60SWG N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
NGTB60N60SWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
842-7914
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA62N25C, 62 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
FQA62N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4957
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP150N65F, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
FCP150N65F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7890
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Fairchild Semiconductor FGH60N60UFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
FGH60N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9298
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
HGT1S10N120BNST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6660
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH150N65F_F155, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 298 W,
制造商零件编号:
FCH150N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1296
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