产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor NGTB30N60FWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
NGTB30N60FWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1356
搜索
STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGB20H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7549
搜索
STMicroelectronics STGB20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGB20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7555
搜索
STMicroelectronics STGF20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGF20V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9342
查看其他仓库
STMicroelectronics STGF20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGF20H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9349
查看其他仓库
STMicroelectronics STGB20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGB20V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7551
搜索
Infineon IRG7PK35UD1PBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1400 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IRG7PK35UD1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4912
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STMicroelectronics STGW20V60F N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGW20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7621
搜索
STMicroelectronics STGP20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGP20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9364
搜索
STMicroelectronics STGW20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGW20V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9374
搜索
STMicroelectronics STGW20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGW20H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5798
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STMicroelectronics STGWT20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
STGWT20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5824
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPP037N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5487
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPD034N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9168
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6877
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPB034N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7419
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB9N65APBF, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IRFB9N65APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1938
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
FCP16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4742
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6412ANT4G, 58 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
NTB6412ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2869
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N06L3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPD031N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9162
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N04NGXKSA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPP023N04NGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6836
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPB120N06S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8661
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB160N04S4-H1, 160 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
IPB160N04S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7438
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB6412ANG, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
NTB6412ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2850
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6412ANG, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 167 W,
制造商零件编号:
NTP6412ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2967
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