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• Infineon IRG4BC30W-SPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30W-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0906
  
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• Infineon AUIRG4BC30S-S N沟道 IGBT, 34 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRG4BC30S-S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9332
  
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• Infineon AUIRG4BC30U-S N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRG4BC30U-S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9341
  
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• Infineon IRG4BC30SPBF N沟道 IGBT, 34 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0902
  
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• Infineon IRG4BC30F-SPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30F-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0909
  
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• Infineon IRGB4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3426
  
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• Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3508
  
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• Infineon IRG4BC30FD-SPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30FD-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4855
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD096N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5211
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4584
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPB50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8958
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2L23ATMA3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9115
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD068P03L3G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD068P03L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5108
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPI50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4685
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPP50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6899
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3 G, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPP100N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2292
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S3-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S3-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3055
  
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• Infineon IRG4BC30FD1PBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30FD1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0899
  
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• Infineon IRG4PC30KPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PC30KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0934
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6939
  
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