产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
FGH20N60SFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9260
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IXYS IXA20IF1200HB N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
IXA20IF1200HB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0259
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor FGP20N60UFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
FGP20N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8896
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Littlefuse NGB8207BNT4G N沟道 IGBT, 20 A, Vce=365 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
NGB8207BNT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
805-1756
搜索
IXYS IXA20I1200PB N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
IXA20I1200PB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0240
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5069
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB12N50TM, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
FDB12N50TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0815
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6157
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6167
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2923
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2945
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK17N65W,S1F(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK17N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5053
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ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2160KEC, 22 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
SCT2160KEC
品牌:
ROHM
库存编号:
826-6908
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20J60W,S1VQ(O, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6163
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS6B03NT1G, 132 A, Vds=100 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
NTMFS6B03NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3261
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5059
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Fairchild Semiconductor FGH20N60UFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
FGH20N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9263
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Littelfuse NGB8207ABNT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=365 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
NGB8207ABNT4G
品牌:
Littelfuse
库存编号:
805-1753
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5071
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17N65W,S1F(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK17N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2926
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大功率耗散 165 W,
制造商零件编号:
TK20E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2932
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