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• Fairchild Semiconductor FPDB40PH60B N通道 IGBT 模块, 40 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 GC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 113 W,
• 制造商零件编号：
  FPDB40PH60B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-5002
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86255, 45 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 113 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86255
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8473
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 113 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8350L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8417
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0065090J, 35 A, Vds=900 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 113 W,
• 制造商零件编号：
  C3M0065090J
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  915-8830
  
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