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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NDD02N60ZT4G, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  NDD02N60ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2771
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD02N60Z-1G, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  NDD02N60Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2777
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  STL18N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5899
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3105PBF, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3366
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  STFW38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7466
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IPP50R500CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2270
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4783
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF02N60ZG, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  NDF02N60ZG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2800
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N10S3L-34
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3018
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03MSG, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSC042N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5312
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505PBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0474
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3707ZSPBF, 59 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3707ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6844
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDD6637, 55 A, Vds=35 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  FDD6637
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9093
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3105, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3105
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9225
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF02N60ZH, 2.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  NDF02N60ZH
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  806-0906
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC072N03LDG, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSC072N03LDG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9216
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC072N03LD G, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSC072N03LD G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9395
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4072
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SISS27DN-T1-GE3, 23 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  SISS27DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4299
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3704ZSPBF, 67 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3704ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6831
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03LS G, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  BSC042N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5250
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SISS23DN-T1-GE3, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大功率耗散 57 W,
• 制造商零件编号：
  SISS23DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1314
  
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